机译:ITO / p-Si和ITO / n-Si接触界面的电流电压特性
机译:通过SILAR方法在n-Si衬底上生长ZnO界面层的Zn / ZnO / n-Si / Au-Sb结构的温度相关电流-电压特性
机译:基于Silar法在N-si衬底上生长Cds界面层的Cd / cds / n-si / au-sb结构特征参数的电流-电压和电容-电压测量值的计算
机译:AG / ITO / MOO_X / N-Si / LiF_X / Al载体选择性接触太阳能电池在室温下处理的电气表征和缺陷状态分析
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:Vps13-Mcp1在液泡-线粒体界面相互作用并绕过ER-线粒体接触部位
机译:AG / ITO / MOOX / N-Si / Lifx / Al载体选择性接触太阳能电池在室温下进行电学表征和缺陷状态分析